发明名称 Halbleiter-Bauelement-Testsystem mit Test-Schnittstellen-Einrichtung
摘要 Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement-Testsystem (103), eine Schnittstelleneinrichtung (106) zur Verwendung in einem Halbleiter-Bauelement-Testverfahren und ein Halbleiter-Bauelement-Testverfahren, wobei in einem ersten Modus einer Schnittstelleneinrichtung (106) in Reaktion auf von der Schnittstelleneinrichtung (106) von einem Testgerät (102) empfangene, einem Test-Standard, z. B. einem JTAG-Test-Standard, entsprechende Test-Signale (TCK, TMS, TDI, TRSTN) durch die Schnittstelleneinrichtung (106) dem Test-Standard entsprechende Signale an ein zu testendes Halbleiter-Bauelement (105) ausgegeben werden und wobei in einem zweiten Modus der Schnittstelleneinrichtung (106) in Reaktion auf von der Schnittstelleneinrichtung (106) von einem Testgerät (102) empfangene, dem Test-Standard entsprechende Test-Signale (TCK, TMS, TDI, TRSTN) durch die Schnittstelleneinrichtung (106) Signale an ein zu testendes Halbleiter-Bautelement (105) ausgegeben werden, die nicht dem Test-Standard entsprechen. DOLLAR A Auf der Schnittstelleneinrichtung (106) ist ein dem Test-Standard entsprechendes Register, insbesondere JTAG-Register, vorgesehen, welches durch das Testgerät (102) so adressiert wird, als sei das Register auf dem zu testenden Halbleiter-Bauelement (105) vorgesehen.
申请公布号 DE102005041614(A1) 申请公布日期 2007.03.08
申请号 DE200510041614 申请日期 2005.09.01
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SIEBERT, HARRY
分类号 G01R31/3185;G01R31/3177;G01R31/319;G11C29/12 主分类号 G01R31/3185
代理机构 代理人
主权项
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