METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING SURFACES AND OPTOELECTRONIC COMPONENTS

摘要

Es wird ein Verfahren beschrieben zur Texturierung von siliziumhaltigen Oberflächen und Bauelementen. Dazu wird eine metallhaltige Schicht auf die siliziumhaltige Oberfläche gebracht und diese Oberfläche dann in einer Lösung aus HF oder NH₄F oder Mischungen davon und einem Oxidationsmittel geätzt. Die Oberfläche zeigt nach der Texturierung eine Oberflächenstruktur mit typischen Strukturgrößen von 50 bis 250 nm. Die Reflektivität der siliziumhaltigen Oberfläche wird durch das Verfahren typischerweise auf weniger als 5% reduziert, wie in der Abbildung am Beispiel der Reflektion einer mit dem Verfahren textu- rierten einkristallinen Siliziumoberfläche gezeigt ist. Das Verfahren lässt sich auf Materialien unterschiedlicher struktureller Modifikation (ein-, poly-, mikro-, nano-, protokristallin oder amorph), Orientierung, Legierung und Dotierung anwenden und ist insbesondere auch für Bauelemente geeignet, die mit Hilfe von Dünnschichttechnik hergestellt werden. Bauelemente, deren Oberflächen mit Hilfe dieses Verfahrens texturiert sind, können vorteilhaft als Solarzellen, Photodetektoren, Leuchtdioden oder zur Ein- und Auskopplung von Licht in Wellenleitern verwendet werden.