| 发明名称 | 金属层间氧化物淀积方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属层间氧化物淀积方法，在进行高密度等离子淀积前引入化学气相淀积(CVD)生成一薄氧化层，阻隔等离子体对铝线的轰击损伤。本发明可有效减小IMD淀积时对铝线的损伤及漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1925114A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200510029260.2 | 申请日期 | 2005.08.31 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 罗来青 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种金属层间氧化物淀积方法，其特征在于：首先用化学气相淀积生成一薄氧化层，然后进行高密度等离子淀积，最后进行等离子体增强四乙基硅酸盐淀积。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||