发明名称 利用多层凸块接合的驱动芯片封装构造及驱动芯片
摘要 本发明是有关于一种利用多层凸块接合的驱动芯片封装构造及驱动芯片。该利用多层凸块接合的驱动芯片封装构造包括一电路薄膜及一驱动芯片,该电路薄膜的一导电线路层具有复数个连接端,该驱动芯片具有一主动面,该主动面是形成有复数个焊垫,复数个多层凸块是设在该芯片的主动面上,以供热压合该些连接端,每一多层凸块包括一基础金属层及一接合金属层,该些基础金属层是设在该些焊垫上,该些接合金属层是形成在该些基础金属层上且其硬度是小于该些基础金属层,当该些接合金属层与该电路薄膜的该些连接端热压共晶接合时,该些基础金属层是可防止该些连接端过份溃陷于该些多层凸块内。
申请公布号 CN1925146A 申请公布日期 2007.03.07
申请号 CN200510093811.1 申请日期 2005.08.30
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 发明人 沈更新
分类号 H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁;张华辉
主权项 1、一种利用多层凸块接合的驱动芯片封装构造,其特征在于其包括:一电路薄膜,其包括有一电绝缘软膜本体及一导电线路层,该导电线路层是形成于该电绝缘软膜本体并具有复数个连接端;一驱动芯片,其具有一主动面,该主动面是形成有复数个焊垫;以及复数个多层凸块,其是设在该驱动芯片的该主动面上,每一多层凸块包括一基础金属层及一接合金属层,该些基础金属层是设在该些焊垫上,该些接合金属层是形成在该些基础金属层上且其硬度是小于该些基础金属层,当该电路薄膜的该些连接端热压合于该些接合金属层时,以该些基础金属层防止该些连接端过份溃陷于该些多层凸块内。
地址 中国台湾