发明名称 半导体装置
摘要 示出和叙述了一半导体装置,该装置包括在其一内部接纳一半导体小硅片的一金属容器。金属容器具有形成在其顶部上的一凹槽。该凹槽提供对金属容器的顶部的刚性,以允许容器的壁进一步与小硅片分开,从而提供一大得多的敞开通道,该通道便于在焊接之后易于洗净残留的焊剂。
申请公布号 CN1303683C 申请公布日期 2007.03.07
申请号 CN02812177.5 申请日期 2002.06.14
申请人 国际整流器有限公司 发明人 M·斯塔恩丁
分类号 H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 吴明华
主权项 1.一半导体装置,它包括:一半导体小硅片,它具有在其一第一主要表面上的一第一主电极,在与所述第一主要表面相对的一第二主要表面上的一第二主电极,以及设置在所述第二主要表面上的和与所述第二主电极电绝缘的一控制电极;以及一金属容器,所述金属容器包括:电连接于所述第一主电极的一腹板部分,所述腹板部分包括设置在所述小硅片周围和朝所述小硅片突出的一框架,以及从所述腹板部分的边缘延伸的一周壁,所述周壁与所述框架分开,从而在所述框架和所述周壁之间存在一空间。
地址 美国加利福尼亚州