| 发明名称 | 微制造的热丝真空传感器 | ||
| 摘要 | 一种使用半导体集成电路工艺形成的微制造真空传感器。所述传感器可与微制造元件一并形成在外壳内。随后就可使用该传感器测量外壳内的压力。 | ||
| 申请公布号 | CN1926421A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200580006186.0 | 申请日期 | 2005.03.18 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | L·阿拉纳;Y·L·邹;J·赫克 |
| 分类号 | G01L11/00(2006.01);G01L21/12(2006.01);G01M3/32(2006.01);H05K5/06(2006.01) | 主分类号 | G01L11/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：微制造真空传感器；以及将所述真空传感器连同集成电路密封在外壳内。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||