| 发明名称 | 自对准接触窗形成方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准接触窗形成方法，包括：于半导体衬底上设置至少一栅叠置结构；于上述半导体衬底和上述栅叠置结构上，形成第一介电层；于上述第一介电层上形成第二介电层，上述第二介电层相对于上述第一介电层具有蚀刻选择性；蚀刻上述第二介电层，以暴露出形成于上述栅叠置结构的顶表面和至少一部分上述栅叠置结构侧壁上部的上述第一介电层；除去已暴露的上述第一介电层；并在上述栅叠置结构侧壁上形成第三介电层。使用本发明，可避免自对准蚀刻过程中，蚀刻液损害第一介电层所造成栅极金属与接触金属间的短路现象。 | ||
| 申请公布号 | CN1303651C | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN03147683.X | 申请日期 | 2003.07.16 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郑培仁 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种自对准接触窗形成方法，包括：在半导体衬底上形成至少一栅叠置结构；在该半导体衬底和该栅叠置结构上，形成第一介电层；在该第一介电层上形成第二介电层，该第二介电层相对于该第一介电层具有蚀刻选择性；蚀刻该第二介电层，以暴露出形成于该栅叠置结构的顶表面和至少一部分该栅叠置结构侧壁上部的该第一介电层；除去已暴露的该第一介电层；以及在该栅叠置结构的侧壁上形成第三介电层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||