| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是高产率地制造半导体器件，在所述半导体器件内，在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括：在基底上形成分离层；通过在分离层上形成无机化合物层、第一导电层，和含有机化合物的层，并形成与含有机化合物的层和无机化合物层接触的第二导电层，从而产生形成元件的层；和在将第一柔性基底固定在第二导电层上之后，在分离层处将分离层与形成元件的层分离。 | ||
| 申请公布号 | CN1925140A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200610128855.8 | 申请日期 | 2006.08.31 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 铃木恒德;野村亮二;汤川干央;大泽信晴;高野圭惠;浅见良信;佐藤岳尚 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L27/28(2006.01);H01L27/32(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 1.制造半导体器件的方法，该方法包括：在基底上形成分离层；产生形成元件的层，步骤包括：在分离层上形成无机化合物层；在分离层上形成半导体元件；和其上形成第一电极层和与半导体元件相连；在第一电极层上形成含有机化合物的层，和形成在含有机化合物的层和无机化合物层之上并与之接触的第二电极层；和在第二电极层上固定第一柔性基底，在分离层处，将基底和形成元件的层彼此分离，以便通过第一柔性基底支撑形成元件的层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||