半导体装置及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其形成方法，此半导体装置包括半导体基底、隔离区域、栅极结构、第一掺杂区域以及第二掺杂区域，此半导体基底为第一导电型态，且半导体基底具有沟槽，此沟槽包括底部区域与侧壁区域，隔离区域形成于沟槽的底部区域上，栅极结构覆盖于沟槽的侧壁区域上，第一掺杂区域为第二导电型态，第一掺杂区域形成于半导体基底上，并邻近于沟槽与栅极结构，第二掺杂区域为第一导电型态，并形成于第一掺杂区域上，且接近半导体基底的表面。本发明可进一步地降低暗信号，并改善短波长光线的光照敏感性。可有效控制位于浅沟槽隔离结构侧壁上的浅接面，使固定式光电二极管与浅沟槽隔离结构能更为相容。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一半导体基底，该半导体基底为一第一导电型态，且该半导体基底具有一沟槽线，其中该沟槽线包括一底部区域与一侧壁区域；一隔离区域，形成于该沟槽线的该底部区域上；一栅极结构，覆盖于该沟槽线的该侧壁区域上；一第一掺杂区域，该第一掺杂区域为一第二导电型态，该第一掺杂区域形成于该半导体基底中，并相邻于该沟槽线与该栅极结构；以及一第二掺杂区域，该第二掺杂区域为该第一导电型态，该第二掺杂区域形成于该第一掺杂区域上，且相邻于该半导体基底的表面。