发明名称 |
用于相移光刻掩模的光学接近校正 |
摘要 |
提供了一种用于产生用于限定目标图案的光刻掩模的计算机可读定义的方法。该相移掩模图案包括相移窗口,修整掩模图案包括修整形状,他们具有由这样的线段组限定的边界。对于用于限定目标图案中的目标图形的特定的一对相移窗口,在所述对中的每个相移窗口可以被考虑为具有包括与所述目标图形相邻的至少一个线段的边界。同样,例如通过包括用于清除在特定对的相移窗口之间的不需要的相变的透射区域,而限定目标图形的互补修整形状包括可以被考虑为靠近该目标图形的至少一个线段。通过调整在靠近该目标图形的所述对中的相移窗口的边界上的至少一个线段的位置、并且通过调整在靠近该目标图形的互补修整形状的边界上的至少一个线段的位置来提供接近校正。 |
申请公布号 |
CN1303474C |
申请公布日期 |
2007.03.07 |
申请号 |
CN02811550.3 |
申请日期 |
2002.06.07 |
申请人 |
数字技术公司 |
发明人 |
克里斯托夫·皮拉特;米歇尔·L·科特 |
分类号 |
G03F1/00(2006.01);G03F1/14(2006.01) |
主分类号 |
G03F1/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
邸万奎;黄小临 |
主权项 |
1.一种用于产生光刻掩模的计算机可读定义的方法,所述光刻掩模用于在要使用该掩模形成的层中限定目标图案,其中所述图案包括目标图形;所述方法包括:布局第一掩模图案和第二掩模图案,所述第一掩模图案包括具有由在第一掩模布局中的线段限定的边界的相移窗口,所述第二掩模图案包括具有在第二掩模图案中的线段限定的边界的修整形状,其中,第一和第二掩模图案的组合用于限定所述目标图案的所述目标图形,通过多个线段来限定在第一掩模图案中的第一相移窗口,所述多个线段包括至少一个邻接目标图形的线段,通过多个线段来限定在第一掩模图案中的第二相移窗口,所述多个线段包括至少一个邻接目标图形的线段,通过多个线段来限定在第二掩模图案中的包括透射区域的修整形状,所述多个线段包括至少一个邻接目标图形的线段,其中通过在所述第二掩模图案中的所述修整形状中的所述透射区域来清除在第一掩模图案中的所述第一和第二相移窗口之间的相变引起的形状;调整在所述第一掩模图案中的所述第一相移窗口的所述至少一个线段的位置,并且调整在所述第二掩模布局中的所述修整形状的所述至少一个线段的位置,以提供接近校正;和在计算机可读介质中存储所述布局和所述调整的结果。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |