发明名称 |
内置有电容器的半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
在内置有为了防止电源电位或接地电位的变动而使用的去耦电容器的半导体装置及其制造方法中,利用简单且低成本的方法来实现小型化、高性能化。根据本发明的半导体装置包括:设置有电源用电极和接地用电极的基板;在与第二半导体芯片相对向的面侧上形成第一导体层并配置在基板上的第一半导体芯片;在与第一半导体芯片相对向的面侧上形成第二导体层并配置在第一半导体芯片上的第二半导体芯片;夹在第一导体层和第二导体层之间来粘合第一半导体芯片和第二半导体芯片的粘合剂层。该半导体装置中,粘合剂层和第一及第二导体层作为电容器来发挥功能。 |
申请公布号 |
CN1926684A |
申请公布日期 |
2007.03.07 |
申请号 |
CN200480042472.8 |
申请日期 |
2004.06.07 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
小泽要;佐藤光孝;米田义之 |
分类号 |
H01L25/065(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/065(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张龙哺 |
主权项 |
1、一种半导体装置,其特征在于,第一半导体芯片、和第二半导体芯片或空白芯片中间夹着电介质层而以层叠状态被配置在支承基板上,并在上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片或空白芯片之间形成有将上述电介质层作为电介质的电容器。 |
地址 |
日本国神奈川县 |