一种ZnO基量子点发光二极管

摘要

本发明公开的ZnO基量子点发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积n－ZnO薄膜层、n－Zn_1－xMg_xO薄膜层、ZnO量子点层、p－Zn_1－xMg_xO薄膜层、p－ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积第一电极构成，其中的ZnO量子点层由嵌于ZnO/Zn_1－yMg_yO量子阱层的ZnO量子点构成。本发明的发光二极管以ZnO量子点作为有源层，发光效率高；ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；通过对ZnO量子点尺寸的调节，可得不同波段的出射光，制得紫外光、紫光或蓝光等多种发光器件。

主权项

1.一种ZnO基量子点发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(1)的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层(2)、n-Zn1-xMgxO薄膜层(3)、ZnO量子点层(4)、p-Zn1-xMgxO薄膜层(5)、p-ZnO薄膜层(6)和第二电极(8)，在衬底(1)的另一面沉积有第一电极(7)，其中ZnO量子点层(4)由嵌于ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层的ZnO量子点构成，y值为0～0.5。