发明名称 |
半导体存储装置及其制造方法和驱动方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法和驱动方法。在将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器的2个电极上施加读出电压,以增加读出极化值时的动作余量。半导体存储装置装备有具有将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器(C0)、(C1)的多个存储器单元。在构成多个存储器单元中的作为读出数据的存储器单元的强电介质电容器(C0)、(C1)的2个电极之间施加读出电压,并通过检测强电介质电容器(C0)、(C1)的极化值来读出存储在强电介质电容器(C0)、(C1)的数据。强电介质电容器(C0)、(C1)的滞后曲线向与读出电压的极性相反的电压侧移动。 |
申请公布号 |
CN1303692C |
申请公布日期 |
2007.03.07 |
申请号 |
CN03154304.9 |
申请日期 |
2003.08.14 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
加藤刚久;嶋田恭博;山田隆善 |
分类号 |
H01L27/10(2006.01);G11C11/34(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种半导体存储装置,包括:多个存储器单元,其分别具有将互补数据作为极化值进行存储的一对强电介质电容器、阳极线、一对位线和一对旁路晶体管,所述一对强电介质电容器各自的一方电极与所述阳极线连接,且各自的另一方电极与所述一对旁路晶体管各自的源极分别连接,所述一对位线与所述一对旁路晶体管各自的漏极分别连接;电压施加单元,其对构成所述多个存储器单元中的作为数据读出对象的存储器单元的所述阳极线,施加将所述一对强电介质电容器中存储的极化状态分别作为相同极性的读出电压;和读出单元,其通过分别检测出对所述阳极线施加所述读出电压时的所述一对强电介质电容器的极化值,读出存储在所述一对强电介质电容器的互补数据;所述一对强电介质电容器的各自的滞后曲线向与所述读出电压的极性相反的电压侧移动。 |
地址 |
日本大阪府 |