发明名称 一种高度c轴取向的纳米多孔氧化锌薄膜及其制备方法
摘要 一种高度c轴取向的纳米多孔氧化锌薄膜及其制备方法,属于半导体光电材料、纳米能源材料、催化材料领域。薄膜沉积过程由若干个循环组成,每个循环包含四步:(1)前驱体溶液吸附;(2)衬底静置;(3)衬底超声辐照;(4)热水反应及衬底干燥。前驱体为金属锌与氨或其他物质的配合物溶液,可采用金属锌的无机盐或有机醋酸盐与氨水(或其他络合剂)配制;衬底为普通玻璃、石英玻璃、ITO导电玻璃或其他材料。本发明特点是:所得ZnO膜层具有独特的纳米多孔结构,最小晶粒尺寸为3-10nm,因此具有比其他方法制备的ZnO膜层大得多的比表面积;本方法成本低廉,简便易行,无须使用有机物和高温加热设备,适合于规模化薄膜材料制备,同时在大面积薄膜生长、以及不规则衬底材料上的薄膜生长方面,也具有突出的优势。
申请公布号 CN1923701A 申请公布日期 2007.03.07
申请号 CN200610116509.8 申请日期 2006.09.26
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 高相东;李效民;于伟东
分类号 C01G9/02(2006.01) 主分类号 C01G9/02(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1、一种高度c轴取向的纳米多孔氧化锌薄膜,其特征在于:(1)所得的ZnO膜层不仅具有良好的结晶性,而且具有高度c轴取向生长特征;(2)所得ZnO膜层在不同的微观尺度具有不同的结构:在微米范围,由颗粒尺寸为200-400纳米均匀分布的ZnO颗粒构成;在纳米尺度,每一个ZnO颗粒又是由粒子尺寸为3-10纳米的ZnO粒子构成。
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