发明名称 半导体加速度传感器及其制备方法
摘要 一种半导体加速度传感器包括:框架2,其内具有开口21;挠性横梁3,从框架2延伸到框架2的开口内;重物5,悬挂于横梁3并由横梁3支撑以使重物5可自由移动;压电电阻器4,安装在横梁3上并响应其上产生的加速度而改变电阻值。框架2包括风挡部分6,每个风挡部分6覆盖开口21的一部分,该部分包括从开口21侧面上框架2的两邻接侧面的拐角部分22到开口21内的范围,并且每个风挡部分6用作制动器以限制重物5的移动。重物5具有分别面向拐角部分22的拐角部分53,每个拐角部分53的角被去掉以具有从俯视方向看的弧形或由至少三条边构成的折线形。由此,增加每个制动器的断裂强度,并因此获得具有优良抗冲击性的半导体加速度传感器。
申请公布号 CN1303427C 申请公布日期 2007.03.07
申请号 CN200410061836.9 申请日期 2004.06.25
申请人 松下电工株式会社 发明人 吉田仁;片冈万士;宫岛久和;赤井澄夫;若林大介;后藤浩嗣;森井诚
分类号 G01P15/12(2006.01) 主分类号 G01P15/12(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 经志强;潘培坤
主权项 1.一种由半导体衬底形成的半导体加速度传感器,其包括:一矩形框架,具有侧面及其内部的一开口,并且该框架进一步具有该框架每两个邻接侧面的拐角部分;多个挠性横梁,其从该框架延伸到该框架的开口内,并且在其之间的相交处具有一交叉部分;一重物,其悬挂于所述横梁的交叉部分并由所述横梁的交叉部分支撑,并且从俯视方向看,该重物位于该开口中以便自由移动,并且该重物具有分别面向所述框架的拐角部分的拐角部分;以及压电电阻器,其安装在所述横梁上并随由于该重物的移动在所述横梁中产生的形变而改变电阻值,其中,该框架包括分别设置在所述框架拐角部分的风挡部分,以分别限制所述重物的拐角部分的位移超过预定值,其中,每个所述风挡部分覆盖该开口的一部分,该部分包括从该框架的每个拐角部分到该开口内的范围,以及其中,该重物的每个拐角部分的角被去掉,以具有从俯视方向看的弧形或至少三条边构成的折线形。
地址 日本大阪府门真市