| 发明名称 | 非易失性有机阻抗随机存取存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性有机阻抗存储器件，包括第一电极、第二电极以及插入第一和第二电极之间的聚酰亚胺层。该聚酰亚胺层具有使得聚酰亚胺层的阻抗随着第一和第二电极之间的电势差改变的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1925185A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200610126609.9 | 申请日期 | 2006.08.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵炳玉;李文淑;安江崇裕 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L51/00(2006.01);H01L27/28(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种非易失性有机阻抗存储器件，包括：第一电极；第二电极；以及插入第一和第二电极之间的聚酰亚胺层，聚酰亚胺层具有使得聚酰亚胺层的阻抗随着第一和第二电极之间的电势差改变的厚度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||