| 发明名称 | 具有有源沟槽角落和厚底部氧化物的沟槽型MIS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种沟槽型MOSFET(40)，包括有源角落区域(25)和居中位于沟槽(19)底部的厚绝缘层(33)。薄的栅极绝缘层(15)衬在沟槽(19)的侧壁和底表面周边部分上。栅极(14)填充该沟槽，邻近该薄绝缘层(15)。栅极(14)邻近厚绝缘层(33)的侧面和顶部。厚绝缘层(33)将栅极(14)与沟槽(19)底部的漏极导电区(13)隔开，形成减小的栅极对漏极电容，并使MOSFET(40)尤其适用于高频应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1303699C | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN02815674.9 | 申请日期 | 2002.08.05 |
| 申请人 | 西利康尼克斯股份有限公司 | 发明人 | 默罕穆德·N·达维什;克里斯蒂娜·尤;弗雷德里克·P·贾尔斯;刘凯宏;陈阔因;凯尔·特里尔;德瓦·N·帕塔纳亚克 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种沟槽栅极型MOSFET，包括：半导体衬底，该半导体衬底包括自所述衬底的第一表面延伸进入所述衬底内的沟槽，所述沟槽包括侧壁、角落表面和中心底表面；与所述沟槽的所述侧壁和所述第一表面相邻的、第一导电类型的源极区；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的体区，该体区邻近所述源极区和所述侧壁，并邻近所述沟槽的所述角落表面；所述第一导电类型的漏极区，其邻近所述体区和所述沟槽的所述中心底表面，其中，所述沟槽至少沿毗邻所述体区的所述侧壁、以及至少沿毗邻所述体区的所述角落表面衬以第一绝缘层，并且其中所述沟槽至少沿所述沟槽的所述中心底表面衬以第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述第一绝缘层连接，且所述第二绝缘层比所述第一绝缘层厚；以及在所述沟槽内与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层连接的栅极区，使得至少沿部分所述角落表面形成有源角落区。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||