| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种反熔丝结构以及形成这样的反熔丝结构的方法，该反熔丝结构包括作为反熔丝材料的埋设导电例如金属层。根据本发明，发明的反熔丝结构包括互连之间漏电电介质的区域。当两个相邻互连被偏置时这些初始互连之间的电阻开始降低且导致时间相关的电介质击穿、TDDB现象发生。相邻互连之间电阻的降低还能通过增大局部温度而被加速。 | ||
| 申请公布号 | CN1925151A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200610090871.2 | 申请日期 | 2006.06.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杨启超;劳伦斯·A·克莱文杰;许履尘;尼古拉斯·C·富勒;蒂莫西·J·多尔顿 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/525(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：绝缘体，包括至少一对相邻互连，所述对中每个互连包括嵌入在所述绝缘体的表面中且围绕每个单独互连的一部分的埋设导电层，所述埋设导电层通过电介质区域被分隔开，当偏压施加到所述对的所述互连之间时所述电介质区域允许电流。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||