TRANSISTOR EN COUCHE MINCE

摘要

Un transistor en couche mince (450) à structure double grille ayant une région fortement dopée (406) entre la région de source (402) et la région de drain (404), une première région (407) de canal entre la région fortement dopée et la région de source et une seconde région (408) de canal entre la région fortement dopée et la région de drain. Une première grille (422) et une seconde grille (424) sont disposées sur une couche d'isolation de grilles au-dessus de la première et de la deuxième région de canal. Une première région légèrement dopée est disposée entre la seconde région de canal et une région fortement dopée et une deuxième région légèrement dopée entre la seconde région de canal et la région de drain. La longueur (L3) de la deuxième région légèrement dopée est plus grande que celle (L4) de la première région légèrement dopée.