| 摘要 |
Il s'agit d'un réseau (100) de transistors en couches minces, d'un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques (130, 160) de celui-ci et de leurs procédés de fabrication. Le réseau de transistors en couches minces comprend une pluralité de lignes de balayage (112), de lignes de données (114), une première (140) et une seconde barre court-circuit (170). Le dispositif de protection un dispositif de commutation et une ligne de résistance en parallèle. Si de l'électricité statique accumulée sur le réseau de TFT dépasse une plage prédéterminée, elle sera conduite vers la première ou la seconde barre court-circuit via le dispositif de commutation. La ligne de résistance permet d'empêcher des signaux appliqués sur une des lignes de balayage ou des lignes de données d'être conduits vers d'autres lignes de balayage ou de données afin de détecter un pixel défectueux. |
