Mos field effect transistor having thick edge gate insulating layer pattern and method of fabricating the same,申请号KR20050048820-传众专利搜索

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发明名称	Mos field effect transistor having thick edge gate insulating layer pattern and method of fabricating the same
摘要
申请公布号	KR100688552(B1)	申请公布日期	2007.03.02
申请号	KR20050048820	申请日期	2005.06.08
申请人		发明人
分类号	H01L29/78	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
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