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发明名称
半导体晶片结构及其制造方法
摘要
本发明为一种半导体晶片结构及其制造方法,其半导体晶片结构包括:一主动表面、至少一接垫及一保护层。半导体晶片之主动表面上设有接垫,且此接垫的表面具有至少一凹陷部;此保护层设置于半导体晶片之主动表面上,且具有至少一开口,以曝露出该接垫之一部分,且此接垫被曝露之部分系包含其凹陷部。利用上述之接垫设置凹陷部之结构,产生较佳之结合能力,当在此保护层开口所曝露之接垫之表面上形成一凸块下金属层时,可增加此凸块下金属层与此接垫的结合能力。
申请公布号
TW200709376
申请公布日期
2007.03.01
申请号
TW094129016
申请日期
2005.08.24
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
陈俊雄
分类号
H01L23/48(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
陈瑞田
主权项
地址
高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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