发明名称 半导体晶片结构及其制造方法
摘要 本发明为一种半导体晶片结构及其制造方法,其半导体晶片结构包括:一主动表面、至少一接垫及一保护层。半导体晶片之主动表面上设有接垫,且此接垫的表面具有至少一凹陷部;此保护层设置于半导体晶片之主动表面上,且具有至少一开口,以曝露出该接垫之一部分,且此接垫被曝露之部分系包含其凹陷部。利用上述之接垫设置凹陷部之结构,产生较佳之结合能力,当在此保护层开口所曝露之接垫之表面上形成一凸块下金属层时,可增加此凸块下金属层与此接垫的结合能力。
申请公布号 TW200709376 申请公布日期 2007.03.01
申请号 TW094129016 申请日期 2005.08.24
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈俊雄
分类号 H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 陈瑞田
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号