半导体元件与其制造方法

摘要

一种半导体元件及其制造方法。此制造方法系先提供一基底，于基底中形成二个沟渠。之后，于各沟渠的侧壁上形成第一介电层，再于各沟渠中形成源极／汲极层。于基底与源极／汲极层上形成第二介电层。最后，于源极／汲极层间的第二介电层上形成一个闸极结构。由于源极／汲极结构与第一介电层系配置于沟渠中，因此得以缩小元件的尺寸。