发明名称 半导体装置之制造方法及半导体装置
摘要 一种半导体装置制造方法,其中,当具有内建光线接收元件的半导体装置被制造时,一个用于分割该光线接收元件的区段是被保护免于受到,例如,由蚀刻所引起的损害。一个防反射涂层不仅被形成于在分离式光电二极体区域中的光线接收区域上且亦形成于一个包括一个在该光线接收区域之外之用于分割光电二极体之分离区段与一个阴极之间之接面区域的分离区域上。一个多晶矽薄膜是被形成俾可覆盖该防反射涂层。据此,于在该光线接收区域之外之分离区段与该阴极之间之接面区域上的防反射涂层是由该多晶矽薄膜保护免于受到,例如,蚀刻损害。结果,在这区域中之晶体缺陷的出现、在杂质浓度上的改变、或其类似是被抑制。因此,具有内建光电二极体的高性能高品质半导体装置能够被制成。
申请公布号 TW200709399 申请公布日期 2007.03.01
申请号 TW094146171 申请日期 2005.12.23
申请人 富士通股份有限公司 发明人 浅野佑次;加藤盛央
分类号 H01L27/14(2006.01) 主分类号 H01L27/14(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本
您可能感兴趣的专利