化合物半导体构件之损伤评估方法、化合物半导体构件之制造方法、氮化镓系化合物半导体构件及氮化镓系化合物半导体膜

摘要

本发明提供一种能够高精度地评价表面损伤之程度的化合物半导体构件之损伤评价方法及化合物半导体构件之制造方法以及损伤程度较小之氮化镓系化合物半导体构件及氮化镓系化合物半导体膜，其中对化合物半导体基板10之表面10a进行分光偏振光分析测定。于藉由分光偏振光分析测定所得之光学常数的光谱中，使用包括化合物半导体基板之能带间隙所对应之波长的波长区域的光谱，评价化合物半导体基板10之表面10a的损伤。