位于平面前侧与背侧表面间具有通孔结构之半导体结构以及制造其之方法

摘要

本发明揭示若干背侧平面化处理的方法，其系经发展而获致一高解析度背侧处理微影，且使得双面之MMIC与电路的发展变可能。使用两种各种处理以平面化不同深度之通孔结构，其中一者包括具10毫寸深度之充满环氧的通孔结构，而另一者则包括具有3.5毫寸深度之固体金属通孔结构。一运用本发明方法所制造之晶圆的应用系已于单石电路中加以证明，其中对于该晶圆之前侧的偏压控制，系藉由于一晶圆之平面化背侧表面上的焊块而建立，该晶圆包括充满环氧的通孔结构。