用于最小化孔洞形成之预非晶化方法

摘要

本发明提出于记忆体单元／装置之制造和／或操作期间消除孔洞(void)形成之方法。该等消除孔洞之方法可包括于半导体结构上形成开口、形成扩散障壁层(diffusion barrier layer)、沉积金属于开口中、使用预非晶化植入物(preamorphization implant)而将该金属预非晶化、以及形成导电性促进层。该等消除孔洞之方法可替代地包括于半导体结构上形成开口、形成扩散障壁层、沉积金属于开口中、使用与电浆之接触而将该金属预非晶化、以及形成导电性促进层。