| 主权项 |
1.一种电流模式之修整装置,用以修整(trimming)一目 标电流,该修整装置包括: 一第一电晶体,其中流经该第一电晶体之电流即为 该目标电流; 一第一电阻,其与该第一电晶体串接于一第一电压 与一第二电压之间; 一运算放大器,其第一输入端接收一参考电压,其 第二输入端电性连接至该第一电阻与该第一电晶 体之间的一共同节点,而该运算放大器之输出端则 电性连接至该第一电晶体之闸极; 一第一受控电流源,电性连接于该共同节点与该第 一电压之间,用以提供一第一电流,并依据所接收 之一第一修整资料而调整该第一电流;以及 一第二受控电流源,电性连接于该共同节点与该第 二电压之间,用以提供一第二电流,并依据所接收 之一第二修整资料而调整该第二电流。 2.如申请专利范围第1项所述电流模式之修整装置, 其中该第一电压为系统电压,而该第二电压为接地 电压。 3.如申请专利范围第1项所述电流模式之修整装置, 其中该第一电晶体为N型电晶体,其汲极与源极分 别电性连接至该第一电压与该共同节点。 4.如申请专利范围第1项所述电流模式之修整装置, 更包括至少一熔丝单元,其中该熔丝单元依据其内 部熔丝之状态而输出该第一修整资料与该第二修 整资料。 5.如申请专利范围第4项所述电流模式之修整装置, 其中该熔丝单元包括: 一第二电阻,其第一端电性连接至该第一电压; 一第三电阻,其第一端电性连接至该第二电阻之第 二端; 一熔丝,其第一端电性连接至该第三电阻之第二端 ,而该熔丝之第二端电性连接至该第二电压; 一第一反闸,其输入端电性连接至该第三电阻之第 二端,而该第一反闸之输出端输出该第一修整资料 与该第二修整资料其中一位元;以及 一第二反闸,其输入端电性连接至该第一反闸之输 出端,而该第二反闸之输出端输出该第一修整资料 与该第二修整资料其中另一位元。 6.如申请专利范围第5项所述电流模式之修整装置, 其中该熔丝单元更包括一焊垫,该焊垫电性连接至 该熔丝之第一端。 7.如申请专利范围第1项所述电流模式之修整装置, 其中该第一受控电流源包括: n个定电流源CS1i,用以各自提供2iI安培之电流,其中 CS1i表示第i个定电流源,i为大于等于0且小于n之整 数,n为大于0之整数,而I为一实数;以及 n个开关SW1i,该开关SW1i与该定电流源CS1i串接于该 第一电压与该共同节点之间,用以依据该第一修整 资料而各自决定其启闭状态,其中SW1i表示第i个开 关。 8.如申请专利范围第7项所述电流模式之修整装置, 其中该第一修整资料具有第0位元至第n位元,而该 开关SW1i包括: 一P型电晶体PTi,其源极与汲极分别电性连接至该 定电流源CS1i与该共同节点,其中PTi表示第i个P型电 晶体;以及 一或闸ORi,其第一输入端与第二输入端分别接收该 第一修整资料之第n位元与第i位元,而该或闸ORi之 输出端电性连接至该P型电晶体PTi之闸极,其中ORi 表示第i个或闸。 9.如申请专利范围第1项所述电流模式之修整装置, 其中该第二受控电流源包括: n个定电流源CS2i,用以各自提供2iI安培之电流,其中 CS2i表示第i个定电流源,i为大于等于0且小于n之整 数,n为大于0之整数,而I为一实数;以及 n个开关SW2i,该开关SW2i与该定电流源CS2i串接于该 第二电压与该共同节点之间,用以依据第二修整资 料而各自决定其启闭状态,其中SW2i表示第i个开关 。 10.如申请专利范围第9项所述电流模式之修整装置 ,其中该第二修整资料具有第0位元至第n位元,而该 开关SW2i包括: 一N型电晶体NTi,其源极与汲极分别电性连接至该 定电流源CS2i与该共同节点,其中NTi表示第i个N型电 晶体;以及 一及闸ANDi,其第一输入端与第二输入端分别接收 该第二修整资料之第n位元与第i位元,而该及闸ANDi 之输出端电性连接至该N型电晶体NTi之闸极,其中 ANDi表示第i个及闸。 图式简单说明: 第1A图系绘示习知的修整电路的方块图。 图1B是说明图1A之习知修整电路的总电阻値Rtot与 目标电流Itot之关系图。 图2是依照本发明之实施例说明一种电流模式之修 整装置。 图3是依照本发明说明一种修整装置之范例电路图 。 图4A是依照本发明说明一种修整装置之另一范例 电路图。 图4B是依照本发明说明一种熔丝单元之范例电路 图。 图5A是依照本发明说明图4A修整装置之一特例。 图5B是依照本发明说明图4B熔丝单元之一特例。 图6则是依照本发明实施例说明图5A与图5B中施加 于焊垫P3~P0之修整资料与目标电流Itot之关系图。 |
