| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含有: 树脂膜形成步骤,系对具有电极部之半导体基板, 形成用以覆盖前述电极部之树脂膜; 开口部形成步骤,系对前述树脂膜,于与前述电极 部相对应之位置形成开口部; 供给步骤,系用以将焊料膏供给至前述开口部; 凸块形成步骤,系在业已形成前述开口部之树脂膜 还残留于前述半导体基板之状态下,藉由加热处理 ,于前述开口部形成凸块; 去除步骤,系用以去除前述树脂膜; 覆盖步骤,系藉由助熔剂或羧酸覆盖前述凸块;及 再次加热处理步骤,系进行再次加热处理步骤使前 述凸块熔融。 2.一种半导体装置之制造方法,包含有: 树脂膜形成步骤,系对具有电极部之半导体基板, 形成用以覆盖前述电极部之树脂膜; 开口部形成步骤,系对前述树脂膜,于与前述电极 部相对应之位置形成开口部; 供给步骤,系藉由电镀法将凸块形成材料供给至前 述开口部; 凸块形成步骤,系在业已形成前述开口部之树脂膜 还残留于前述半导体基板之状态下,藉由加热处理 ,于前述开口部形成凸块; 去除步骤,系用以去除前述树脂膜; 覆盖步骤,系藉由助熔剂或羧酸覆盖前述凸块;及 再次加热处理步骤,系进行再次加热处理步骤使前 述凸块熔融。 图式简单说明: 第1a图至第1d图系显示有关于本发明第1实施形态 之半导体装置之制造方法的一部份步骤。 第2a图至第2d图系显示接续第1d图之步骤。 第3a图至第3c图系显示接续第2d图之步骤。 第4a图及第4b图系依本发明相关之半导体装置之制 造方法而得之半导体装置的部分放大图。 第5图系显示依本发明相关之半导体装置制造方法 而得之半导体装置之对电路基板之倒装晶片安装 。 第6a图至第6d图系显示有关于本发明第2实施形态 之半导体装置之制造方法的一部份步骤。 第7a图至第7c图系显示接续第6d图之步骤。 第8a图至第8c图系显示有关于本发明第3实施形态 之半导体装置之制造方法的一部份步骤。 第9a图至第9c图系显示接续第8c图之步骤。 第10a图至第10d图系显示接续第9c图之步骤。 第11a图至第11c图系显示具有凸块电极之半导体装 置之习知制造方法的一例。 第12a图至第12c图系显示接续第11c图之步骤。 第13a图至第13c图系显示接续第12c图之步骤。 |
