| 主权项 |
1.一种高分子网路液晶之配列方法,包含以下步骤: a)将线偏极紫外线照射到具定向力的紫外线硬化 型单体; b)控制块状液晶之配列,同时紫外线硬化型单体依 据线偏极紫外线之照射,而变为高分子,因而达到 最初的可穿透状态;及 c)以垂直电场和高分子链之水平定向力,不规则的 放置液晶分子,垂直电场经加诸之电压而形成于上 、下电极之间。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中紫外线硬化型 单体包括聚亚醯胺为主或丙烯酸酯为主之材料。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中一藉由高分子 链而形成之自由斜角,经在照射线偏极紫外线的步 骤中调整曝光功率和温度而被控制。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中液晶各分子之 短轴折射率与紫外线硬化型单体的折射率相同,液 晶之折射率最多为0.15,而液晶分子和高分子在最 初状态被水平的配列。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中在a步骤中,曝 光温度被控制在摄氏30到80度之间,单体被高分子 化,此时将一单体溶解之一溶剂蒸发。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中a步骤包含以 下步骤: 将紫外线硬化型单体和液晶之混合物配置在下电 极,并形成一间隔;及 用上板覆盖该混合物,并以线偏极紫外线照射在该 混合物。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中在b步骤中,高 分子经由线偏极紫外线被配列在一方向,此时单体 变为高分子,当高分子和液晶之相位彼此区隔开时 ,块状液晶经由高分子被配列于前述方向上。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中在b步骤中,由 于线偏极紫外线之照射,高分子链被配列于一预定 方向,因此控制块状液晶之配列。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中在b步骤中,高 分子链受到线偏极紫外线之照射而溶解,液晶被配 列在高分子被溶解之处,因此可达到最初可穿透的 状态。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中在c步骤中,液 晶分子不规则的放置,由于高分子和液晶之间存在 散射系数的差距,因而产生散射的现象。 11.一种高分子网路液晶之配列方法,该方法包含以 下步骤: (i)将线偏极紫外线照射到具定向力紫外线硬化型 单体; (ii)控制块状液晶之配列,此时由于线偏极紫外线 之照射,紫外线硬化型单体藉由分别附着于上、下 电极之第一和第二极化板变为高分子,而达到最初 可穿透的状态,其为暗状态;及 (iii)施加一电压在上、下电极之间形成电场,液晶 之电场配列分子在一方向具有正介电异向性,因此 达到白色色偏。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中藉由在上、 下电极分别放置第一和第二极化板,其中两个极化 板之透过轴彼此交错,因而达到暗状态。 13.一种高分子网路液晶之配列方法,该方法包含以 下步骤: 将线偏极紫外线照射到具有定向力之紫外线硬化 型单体; 控制块状液晶之配列,此时由于线偏极紫外线之照 射,经由一置于上电极之上的极化板及一置于下电 极之下的反射板,紫外线硬化型单体变为高分子, 而达到最初可穿透的状态,其为暗状态;及 施加一电压在上、下电极之间形成电场,液晶电场 配列分子在一个方向上具有正介电异向性,因而达 到白色色偏。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中一补偿膜介 于下电极和反射板之间,以至于改变线偏极光入射 至圆极化光。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中入射光受到 极化板之线偏极,穿过液晶层和补偿膜,并经反射 板而再度穿过液晶层,并且被输出为以入射光为基 础扭曲90度之线偏极光,因此达到最初的暗状态。 16.如申请专利范围第13项之方法,其中当施加一电 压,液晶被不规则的放置,因而造成漏光,而非将入 射光变为扭曲90度的线偏极光,因而达到白色色偏 。 图式简单说明: 第1图系根据本发明之第一具体实施例显示垂直可 透过自由对准高分子网路液晶(NTAF PNLC)配列方法 中之紫外线照射步骤与最初可穿透的状态的实现 步骤; 第2图系根据本发明之第一具体实施例显示垂直可 透过自由对准高分子网路液晶(NTAF PNLC)配列方法 中运用电压之液晶配列步骤; 第3图显示用于本发明之具体实施例中紫外线硬化 型单体例子的化学公式; 第4图系根据本发明之第二具体实施例显示透过型 高分子网路液晶支配列方法;及 第5图系根据本发明之第三具体实施例显示反射型 高分子网路液晶之配列方法。 |
