| 主权项 |
1.一种结构化触媒,其包含:一或多种混合型金属氧 化物触媒,各触媒以主要元素呈任意顺序之方式相 继沉积,且元素之相对量满足下式: MoVaNbbXcZdOn 其中X为至少一种选自Te及Sb组成之群的元素,Z为至 少一种选自W、Cr、Ta、Ti、Zr、Hf、Mn、Re、Fe、Ru、 Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Ag、Zn、B、Al、Ga、In、Ge、Sn、 Si、Pb、P、Bi、Y、Ce、稀土元素及硷土元素组成之 群的元素,0.1≦a≦1.0、0.01≦b≦1.0、0.01≦c≦1.0、0 ≦d≦1.0且n系藉由其它元素之氧化状态来决定;其 中该一或多种金属氧化物触媒为自行支撑型且进 一步包含具有促进气相反应物及产物移动之开口 的三维结构。 2.如申请专利范围第1项之结构化触媒,其中该一或 多种混合型金属触媒藉由化学气相沉积法、物理 气相沉积法及其组合沉积,而产生多孔触媒。 3.一种结构化触媒,其包含:一或多种混合型金属氧 化物触媒,各触媒满足下式: MoVaNbbXcZdOn 其中X为至少一种选自Te及Sb组成之群的元素,Z为至 少一种选自W、Cr、Ta、Ti、Zr、Hf、Mn、Re、Fe、Ru、 Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Ag、Zn、B、Al、Ga、In、Ge、Sn、 Si、Pb、P、Bi、Y、Ce、稀土元素及硷土元素组成之 群的元素,0.1≦a≦1.0、0.01≦b≦1.0、0.01≦c≦1.0、0 ≦d≦1.0且n系藉由其它元素之氧化状态来决定,该 一或多种混合型金属氧化物触媒与具有促进气相 反应物及产物移动之开口之三维形式的连续整体 结构接触且其中该三维形式之连续整体结构包含 选自以下各物组成之群之陶瓷发泡体及陶瓷单石: 堇青石、氧化铝、氧化锆、矽石、铝矽酸盐类沸 石、磷矽酸盐类沸石、其它沸石及其组合;且其中 该一或多种混合型金属氧化物触媒系藉由选自浸 渍法、洗涂法、浆料浸涂法、化学气相沉积法、 物理气相沉积法、沉淀法及其组合组成之群之方 法沉积于该等陶瓷发泡体及陶瓷单石上。 4.如申请专利范围第1或3项之结构化触媒,其中该 等结构化触媒系以具有机械制造之开口之微反应 器或微反应器阵列的形式来制造,该等开口系选自 以下各物组成之群:孔、晶胞、通道及其它狭窄过 道。 5.一种经改质之结构化触媒,其包含:一或多种混合 型金属氧化物触媒,各触媒以主要元素呈任意顺序 之方式相继沉积,且元素之相对量满足下式: MoVaNbbXcZdOn 其中X为至少一种选自Te及Sb组成之群的元素,Z为至 少一种选自W、Cr、Ta、Ti、Zr、Hf、Mn、Re、Fe、Ru、 Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Ag、Zn、B、Al、Ga、In、Ge、Sn、 Si、Pb、P、Bi、Y、Ce、稀土元素及硷土元素组成之 群的元素,0.1≦a≦1.0、0.01≦b≦1.0、0.01≦c≦1.0、0 ≦d≦1.0且n系藉由其它元素之氧化状态来决定;其 中该经改质之触媒为自行支撑型且进一步包含具 有促进气相反应物及产物移动之开口的三维结构; 且其中至少一种触媒系使用一或多种化学处理、 一或多种物理处理或化学处理与物理处理之一或 多种组合来改质。 6.如申请专利范围第5项之经改质之结构化触媒,其 中一或多种经改质之混合型金属触媒系藉由选自 浸渍法、洗涂法、浆料浸涂法、化学气相沉积法 、物理气相沉积法、沉淀法及其组合组成之群之 方法沉积于包含陶瓷发泡体及陶瓷单石之三维形 式的连续整体结构上,该等陶瓷发泡体及陶瓷单石 系选自堇青石、氧化铝、氧化锆、矽石、铝矽酸 盐沸石、磷矽酸盐沸石、其它沸石及其组合组成 之群。 7.一种改良一或多种混合型金属氧化物触媒之一 或多种效能特征的方法,该一或多种混合型金属氧 化物触媒之各触媒系满足下式: MoVaNbbXcZdOn 其中X为至少一种选自Te及Sb组成之群的元素,Z为至 少一种选自W、Cr、Ta、Ti、Zr、Hf、Mn、Re、Fe、Ru、 Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Ag、Zn、B、Al、Ga、In、Ge、Sn、 Si、Pb、P、Bi、Y、Ce、稀土元素及硷土元素组成之 群的元素,0.1≦a≦1.0、0.01≦b≦1.0、0.01≦c≦1.0、0 ≦d≦1.0且n系藉由其它元素之氧化状态来决定,该 方法包括以下步骤: a)将一或多种金属氧化物触媒沉积成为可促进气 相反应物及产物移动之自行支撑型结构化触媒,或 将一或多种混合型金属氧化物触媒沉积于具有促 进气相反应物及产物移动之开口之三维形式的连 续整体结构上;及视情况 b)以一或多种化学处理、一或多种物理处理及化 学处理与物理处理之一或多种组合来处理该结构 化触媒。 8.一种制备结构化触媒之方法,其包含以下步骤: 沉积一或多种混合型金属氧化物触媒,各触媒以主 要元素呈任意顺序之方式沉积且满足下式: MoVaNbbXcZdOn 其中X为至少一种选自Te及Sb组成之群的元素,Z为至 少一种选自W、Cr、Ta、Ti、Zr、Hf、Mn、Re、Fe、Ru、 Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Ag、Zn、B、Al、Ga、In、Ge、Sn、 Si、Pb、P、Bi、Y、Ce、稀土元素及硷土元素组成之 群的元素,0.1≦a≦1.0、0.01≦b≦1.0、0.01≦c≦1.0、0 ≦d≦1.0且n系藉由其它元素之氧化状态来决定,其 中所产生之结构化触媒为自行支撑型且可促进气 相反应物及产物移动或将一或多种混合型金属氧 化物触媒沉积于具有促进气相反应物及产物移动 之开口之三维形式的连续整体结构上。 9.一种制造包括C2-C8不饱和羧酸之C2-C8氧化物之方 法,其包含以下步骤:将对应的烷烃、烯烃或对应 的烷烃与烯烃之混合物与如申请专利范围第1至6 项中任一项之结构化触媒接触以进行气相催化氧 化反应;其中与一或多种对应的未经改质的混合型 金属氧化物触媒相比,使用该结构化触媒改良了包 括不饱和羧酸之氧化物的产率及选择性。 10.一种制造包括C2-C8不饱和羧酸之C2-C8氧化物之方 法,其包含以下步骤: a)使用一或多种化学处理、一或多种物理处理及 化学处理与物理处理之一或多种组合来改质如申 请专利范围第1至4项中任一项之结构化触媒;及 b)将对应的烷烃、烯烃或对应的烷烃与烯烃之混 合物与该经改质之结构化触媒接触,以进行气相催 化氧化反应; 其中与该或该等对应的未经改质的结构化触媒相 比,使用该或该等经改质之结构化触媒改良了包括 不饱和羧酸之氧化物的产率及选择性。 |
