| 主权项 |
1.一种具有单晶氧化钪接面膜的磊晶用基板之制 作方法,包含下列步骤: (a)于一减压环境中提供一呈钻石立方单晶相且晶 面指数为(111)的基底及一固态氧化钪源;及 (b)汽化该固态氧化钪源,以于该基底上形成一单晶 氧化钪接面膜进而制得一具有单晶氧化钪接面膜 的磊晶用基板,其中,该单晶氧化钪接面膜与该基 底之间是呈三重对称及60度旋转的对称模式。 2.依据申请专利范围第1项所述之具有单晶氧化钪 接合膜的磊晶用基板之制作方法,其中,该步骤(a) 的基底是由矽所制成。 3.依据申请专利范围第2项所述之具有单晶氧化钪 接面膜的磊晶用基板之制作方法,该步骤(a)与该步 骤(b)之间更包含一步骤(b'),该步骤(b')是在一预定 高温下对该基底施子原子轰击以去除该基底的一 表面上之原生氧化层。 4.依据申请专利范围第3项所述之具有单晶氧化钪 接面膜的磊晶用基板之制作方法,该步骤(b')与该 步骤(b)之间更包含一步骤(b"),该步骤(b")是于该基 底的表面上形成复数矽原子层以完成该基底的表 面重建。 5.依据申请专利范围第3项所述之具有单晶氧化钪 接面膜的磊晶用基板之制作方法,其中,该步骤(b') 的预定高温是介于700℃至1000℃之间。 6.依据申请专利范围第5项所述之具有单晶氧化钪 接面膜的磊晶用基板之制作方法,其中,该步骤(b') 的预定高温是介于800℃至900℃之间。 7.依据申请专利范围第1项所述之具有单晶氧化钪 接面膜的磊晶用基板之制作方法,其中,该步骤(a) 的减压环境的压力是110-5 torr以下。 8.依据申请专利范围第7项所述之具有单晶氧化钪 接面膜的磊晶用基板之制作方法,其中,该步骤(a) 的减压环境的压力是介于110-7 torr至110-10 torr之 间。 9.依据申请专利范围第1项所述之具有单晶氧化钪 接面膜的磊晶用基板之制作方法,其中,该步骤(b) 是于该基底施加一工作温度,该工作温度是介于25 ℃至1000℃之间。 10.依据申请专利范围第9项所述之具有单晶氧化钪 接面膜的磊晶用基板之制作方法,其中,该工作温 度是介于700℃至900℃之间。 11.依据申请专利范围第1项所述之具有单晶氧化钪 接面膜的磊晶用基板之制作方法,其中,该步骤(b) 之后更包含一步骤(c),该步骤(c)是于该单晶氧化钪 接面膜上形成一保护膜。 12.依据申请专利范围第11项所述之具有单晶氧化 钪接面膜的磊晶用基板之制作方法,其中,该步骤(c )的保护膜是选自于由下列所构成之群组:非晶矽 、二氧化矽、氧化铝。 图式简单说明: 图1是使用本发明一具体例的制程条件并在一氧化 钪接面膜于厚度5奈米时沿着[4 _2 _2]方向的RHEED图 案; 图2是使用该具体例的制成条件并在该氧化钪接面 膜于厚度5奈米时沿着[2 _2 0]方向的RHEED图案; 图3是该具体例之X光射线扫描单晶频谱图; 图4是该具体例之低角度X光反射比量测图; 图5是该具体例之矽基底Si(111)的摇摆曲线图; 图6是该具体例之氧化钪接面膜Sc2O3(222)的摇摆曲 线图; 图7是该具体例之X光的三维圆锥扫描分析图; 图8是该具体例之高解析度穿透式电子显微镜影像 ;及 图9是该具体例之漏电流密度(J)对于电场(E)分析图 。 |
