发明名称 |
半导体记忆装置 |
摘要 |
根据本发明的半导体记忆装置包含一温度相依电压源,用以根据在该半导体记忆装置所测得的升高温度而于其输出端输出升高电压。至少一第一电晶体系提供给至少一记忆胞元,该第一电晶体包括第一电晶体本体,该第一电晶体本体系连接至该温度相依电压源的该输出端。 |
申请公布号 |
TW200709221 |
申请公布日期 |
2007.03.01 |
申请号 |
TW095128216 |
申请日期 |
2006.08.01 |
申请人 |
奇梦达股份有限公司;南亚科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
莱纳巴尔滕施拉格;李文明;文辰锡;弗洛里安施纳贝尔;克里斯提纳席喀尔特 |
分类号 |
G11C7/04(2006.01);G11C11/4063(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/04(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡清福 |
主权项 |
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地址 |
德国 |