在半导体基底上形成抗蚀刻阻剂图案之方法

摘要

本发明揭示一种在半导体基底上形成抗蚀刻光阻图案之方法。在一实施例中，一光阻图案系形成于一基底上。一含聚合物层系形成于光阻图案上。对光阻图案及含聚合物层进行热处理，使聚合物大体扩散至光阻图案，藉以加强光阻图案的抗蚀刻性。之后，去除含聚合物层。