半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法。首先，提供基底。基底上具有切割线，将基底划分为至少一个晶片。于基底中形成沟渠，沟渠位于预定形成焊垫的区域或焊垫与切割线之间的区域。然后，于沟渠的侧壁及底部的基底中形成下电极，并于基底上形成电容介电层与上电极，上电极填满沟渠。之后，于基底中形成掺杂区电性连接下电极。继之，于基底上形成第一焊垫与第二焊垫，下电极经由掺杂区电性连接至第一焊垫，上电极电性连接至第二焊垫。由于电容器形成于焊垫下方或焊垫与切割线之间的基底中，可减少所占用的晶片面积。