发明名称 | 奈米碳管阵列制备装置及方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种奈米碳管阵列制备装置,其包括:一反应腔;一局部加热装置,用以加热装载于该反应腔内之奈米碳管生长用催化剂;及一气态碳供给装置,用以于装载于该反应腔内之催化剂之上游位置向该反应腔提供一气态碳。本发明藉由设置一局部加热装置及气态碳供给装置,可于反应腔之催化剂位置处形成明显之温度梯度,及于反应腔内提供充足之碳源;其可实现奈米碳管阵列之快速生长,且可于基底上生长出单壁奈米碳管阵列。本发明还提供一种奈米碳管阵列制备方法。 | ||
申请公布号 | TW200708477 | 申请公布日期 | 2007.03.01 |
申请号 | TW094129246 | 申请日期 | 2005.08.26 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 姜开利;陈卓;范守善 |
分类号 | C01B31/04(2006.01);C23C16/26(2006.01) | 主分类号 | C01B31/04(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |