| 主权项 |
1.一种在400℃至800℃制备奈米碳管之方法,包括以 下步骤: (a)提供一第一金属化学镀液、一基材、以及一反 应器,其中该第一金属化学镀液系容置于该反应器 内,该基材系浸没于该化学镀液中,且该反应器系 包含一加热器与一冷却器; (b)以该加热器加热该化学镀液,且以该冷却器冷却 该受热之化学镀液; (c)进行一无电镀反应,使该基材表面形成至少一第 一金属微粒,其中该基材与该加热器之间系保持一 间隙; (d)将该基材表面之部分第一金属微粒以金属化学 置换方法置换成一第二金属,以在该基材表面形成 至少一含有复合金属之微粒;以及 (e)在步骤(d)处理后之该基材表面上形成该奈米碳 管; 其中,该第一金属化学镀液系包含一金属盐类、一 还原剂、一错合剂、与一pH调节剂。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金 属系为铁、钴、镍或其合金。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二金 属系为金、钯、铂、或银。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属盐 类系为硫酸镍、氯化镍、硫酸钴、氯化钴、硫酸 铁或其组合。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该还原剂 系为次磷酸钠、硫酸联氨或其组合。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该错合剂 系为胺基醋酸、乳酸钠或其组合。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材系 为多晶矽、非晶矽、单晶矽、氧化铝或铟锡氧化 玻璃(ITO玻璃)。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该奈 米碳管系利用一热裂解化学气相沈积反应(CVD)。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该奈 米碳管系包含以下步骤:(I)提供一气体系作为碳来 源、一氩气系作为反应前后保护该基材之气体、 以及一高温炉装置;(II)将步骤(d)处理后之该基材 置入该高温炉装置中,同时通入该氩气;(III)加热该 高温炉至一反应温度,再依序将一氨气、该作为碳 来源之气体分别通入该高温炉中,以生成该奈米碳 管;以及(IV)待该奈米碳管生长完毕,通入该氩气,且 取出该基材。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该反应 温度系为400℃以上。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该作为 碳来源之气体系为一氧化碳、甲醇、甲苯、乙炔 、甲烷或其组合。 图式简单说明: 图1系本发明一较佳实施例在ITO玻璃基材上制备钯 镍复合金属催化微粒之SEM照片图。 图2系本发明一较佳实施例在ITO玻璃基材上制备奈 米碳管之SEM照片图。 图3系本发明一较佳实施例在ITO玻璃基材上制备奈 米碳管之TEM照片图。 |
