| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterleistungsbauteil (1) in Flachleitertechnik und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das Halbleiterleistungsbauteil (1) weist einen vertikalen Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip (2) auf. Der Halbleiterleistungschip (2) besitzt mindestens eine großflächige Elektrode (3) auf seiner Oberseite (4) und eine großflächige Elektrode (5) auf seiner Rückseite (6). Die Rückseitenelektrode (5) ist auf einer Flachleiter-Chipinsel (7) eines Flachleiterrahmens (8) oberflächenmontiert und die Oberseitenelektrode (3) ist über ein Verbindungselement (9) mit einem Innenflachleiter (10) des Flachleiterrahmens (8) elektrisch verbunden. Das Verbindungselement (9) weist einen Bondstreifen (11) auf, der sich von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) erstreckt und besitzt zusätzlich auf der Oberseite (12) des Bondstreifens (11) Bonddrähte (13), die sich von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) erstrecken. |
