| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Kontakts eines Halbleiterspeicherbauelements |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19924651(B4) |
申请公布日期 |
2007.03.01 |
| 申请号 |
DE1999124651 |
申请日期 |
1999.05.28 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
JEONG, IN-KWON |
| 分类号 |
H01L21/283;H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/485;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/283 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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