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发明名称
Methods and apparatus for low power SRAM
摘要
Methods and apparatus provide for pre-charging a bit line and a complementary bit line of an SRAM memory cell of the SRAM memory to a voltage level below a power supply level, Vdd, of the SRAM memory prior to writing data to the memory cell.
申请公布号
US2007047349(A1)
申请公布日期
2007.03.01
申请号
US20050218009
申请日期
2005.09.01
申请人
TOKITO SHUNSAKU
发明人
TOKITO SHUNSAKU
分类号
G11C7/00
主分类号
G11C7/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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