| 发明名称 | 具有铟掺杂形成的横向掺杂梯度的图像传感器像素 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有源像素，该有源像素的传输门具有掺杂铟的多晶硅门电路。本发明的有源像素包括一位于半导体基体内的感光元件以及一位于该半导体基体内的n－型漂浮节点。具有传输门的n－沟道传输晶体管形成于感光元件与漂浮节点之间。本发明像素的基体具有铟掺杂物的横向掺杂梯度。 | ||
| 申请公布号 | CN1921129A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200610005411.5 | 申请日期 | 2006.01.13 |
| 申请人 | 豪威科技有限公司 | 发明人 | 霍华德·E·罗德斯 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人 | 戴建波 |
| 主权项 | 1、一种像素，其包括：一位于半导体基体内的感光元件；一位于所述半导体基体内的n-型漂浮节点；一n-沟道传输晶体管，该n-沟道传输晶体管在所述感光元件与所述漂浮节点之间有一传输门；以及一位于所述半导体基体内由铟掺杂物形成的横向掺杂梯度，该横向掺杂梯度在所述感光元件处比在所述传输门下方的部分，具有更高的掺杂物浓度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||