| 发明名称 | 强介电体的制法及其制造装置 | ||
| 摘要 | 强介电体的制法包含在预定区域边供给至少成为强介电体原材料一部分的氧活性粒子(100A)和电磁波(200A)，边形成强介电体膜的工序。也可以在前述规定区域上形成由强介电体原材料一部分的物质构成的膜。还包含在第1强介电体膜(20a)上供给活性粒子(100A)和电磁波(200A)，形成与第1强介电体膜(20a)的结晶构造不同的第2强介电体膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1302151C | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN01800706.6 | 申请日期 | 2001.03.29 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 名取荣治 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/22(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L41/22(2006.01) | 主分类号 | C23C16/40(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种强介电体的制法，包含在基体上的区域供给至少成为强介电体原材料一部分的氧活性粒子和电磁波，同时形成强介电体膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||