低电压双向福乐诺汉写入/擦除闪速存储器

摘要

一种低电压双向福乐诺汉写入/擦除闪速存储器，包含有衬底；第一导电型存储单元共用掺杂阱，形成于该衬底中；多行第二导电型埋入式位线，形成于该存储单元共用掺杂阱中，该多行第二导电型埋入式位线彼此独立隔离；多个串联排列的存储区块，形成于单一行的多行埋入式位线上，且各多个存储区块均包含有至少一存储晶体管，该存储晶体管包含有堆叠栅极、源极以及漏极；区域位线平行跨设于多个串联排列的存储区块上方，经由接触插塞与该存储晶体管的该漏极电连接，且接触插塞使漏极与其下方的该埋入式位线形成电性短路。本发明具有低耗电，相容的操作模式，可在单一芯片上同时整合制作高速程序码闪速存储器以及高密度数据闪速存储器等优点。

主权项

1.一种低电压非易失性存储器阵列，包含有：一衬底；一第一导电型存储单元共用掺杂阱，形成于该衬底中；多行第二导电型埋入式位线，形成于该存储单元共用掺杂阱中，其中该多行第二导电型埋入式位线彼此独立隔离，且每一埋入式位线又被数个第一导电型深掺杂源极阱再分隔为多个次位线区段，其中该第一导电型深掺杂源极阱与该第一导电型存储单元共用掺杂阱电连接；多个串联排列的存储区块，形成于每一行的该多行埋入式位线上，其中各多个存储区块均对应于其中一个该多个次位线区段，且各多个存储区块均包含有至少一存储晶体管，该存储晶体管包含有一堆叠栅极、一源极以及一漏极；及一区域位线平行跨设于该多个串联排列的存储区块上方，经由一接触插塞与该存储晶体管的该漏极电连接，且该接触插塞使该漏极与其下方的该埋入式位线形成电性短路。