| 发明名称 | 增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法 | ||
| 摘要 | 一种增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法，其中此氮化硅只读存储器已形成于一晶圆上，此方法对晶圆进行一烘烤工艺，其中此烘烤工艺于进行此晶圆的最后等离子体工艺之后且于此晶圆进行一晶圆分类测试之前进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1302540C | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN03146353.3 | 申请日期 | 2003.07.10 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 庄焜吉;刘振钦;陈炯中 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法，其特征在于，该氮化硅只读存储器已形成于一晶圆上，该增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法包括下列步骤：对该晶圆进行一烘烤工艺，其中该烘烤工艺于进行该晶圆的一最后等离子体工艺之后且于该晶圆进行一晶圆分类测试之前进行。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||