发明名称 |
用激光束照射半导体层的激光加工装置 |
摘要 |
一种用激光束照射半导体层的激光加工装置,其特征在于,它包括:一个激光器,用于发射具有截面的激光束;扩展器件,用于只在截面的长度方向扩展激光束,其中激光束在长度方向的光强分布同时为所述扩展器件所均匀化,所述扩展器件至少有一个柱面透镜阵列和一个只在长度方向会聚激光束的凸透镜;支撑器件,用于支撑用扩展过的激光束处理的衬底;移动器件,用于在扩展过的激光束截面的宽度方向移动所述衬底。 |
申请公布号 |
CN1921069A |
申请公布日期 |
2007.02.28 |
申请号 |
CN200610101655.3 |
申请日期 |
1993.06.26 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;张宏勇;石原浩朗 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘宗杰 |
主权项 |
1.一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤:在玻璃衬底上布置多个半导体岛;将离子掺杂质注入半导体岛;将在一个方向拉长的脉冲式准分子激光光束对准所述玻璃衬底;以和所述脉冲式准分子激光光束的拉长方向正交的方向移动所述玻璃衬底,由此利用所述脉冲式准分子激光光束照射所述半导体岛。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |