| 发明名称 | 在集成电路中形成的交叉耦合的电感器对 | ||
| 摘要 | 本发明公开了形成在IC中的交叉耦合的第一和第二螺旋电感器。该交叉耦合的第一和第二螺旋电感器包括具有第一部分和第二部分的第一螺旋导体和具有第一部分和第二部分的第二螺旋导体。第二螺旋导体与第一螺旋导体靠近。第一螺旋电感器由第一螺旋导体的第一部分和第二螺旋导体的第二部分形成。第二螺旋电感器由第一螺旋导体的第二部分和第二螺旋导体的第一部分形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1921035A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200610109919.X | 申请日期 | 2006.08.24 |
| 申请人 | 安华高科技杰纳勒尔IP（新加坡）私人有限公司 | 发明人 | 奥维·伦·孙·洛克;菲利普·维尔弗雷德·菲什尔;罗伯特·詹姆斯·马丁 |
| 分类号 | H01F17/00(2006.01);H01L21/70(2006.01) | 主分类号 | H01F17/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王怡 |
| 主权项 | 1.形成在集成电路中的交叉耦合的第一和第二螺旋电感器，所述交叉耦合的第一和第二螺旋电感器包括：具有第一部分和第二部分的第一螺旋导体；以及靠近所述第一螺旋导体的第二螺旋导体，所述第二螺旋导体具有第一部分和第二部分，其中所述第一螺旋电感器由所述第一螺旋导体的所述第一部分和所述第二螺旋导体的所述第二部分形成，并且所述第二螺旋电感器由所述第一螺旋导体的所述第二部分和所述第二螺旋导体的所述第一部分形成。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||