发明名称 一种铂钛金属薄膜图形化技术
摘要 本发明公开了一种铂钛金属薄膜图形化技术,属于金属薄膜光刻图形化领域。其主要技术特征是:在光刻工序之后,将曝光过的硅片放在一氯甲苯溶剂中,浸泡30分钟后取出,再经烘干工序后,在显影液中浸泡2-3分钟,光刻胶在硅片上形成“倒梯形”结构及夹角。本发明通过应用证明:有效的提高了图形化的质量,线条清晰,无表面污染,产品合格率由原来的40%提高到85%以上。
申请公布号 CN1920661A 申请公布日期 2007.02.28
申请号 CN200510010975.3 申请日期 2005.08.22
申请人 昆明物理研究所 发明人 信思树;普朝光;王忠华;杨明珠;杨培志
分类号 G03F7/00(2006.01);G03F7/16(2006.01);G03F7/30(2006.01);G03F7/38(2006.01) 主分类号 G03F7/00(2006.01)
代理机构 昆明正原专利代理有限责任公司 代理人 赵云;邵会昌
主权项 1、一种铂钛金属薄膜图形化技术,含有工序清洗硅片、生长铂钛薄膜、光刻、烘干,其特征在于:在F、光刻工序之后,将曝光过的硅片放入浓度为25%的一氯甲苯溶济中,浸泡30分钟后取出,再经H、烘干工序之后,在显影液中浸泡2-3分钟,光刻胶(2)在硅片(1)上形成“倒梯形”结构和夹角β。
地址 650223云南省昆明市教场东路31号