具有离子导电层的非易失性存储器件及其制造和操作方法

摘要

公开了一种具有离子导电层的非易失性半导体存储器件，及其制造和操作方法。所述非易失性存储器件包括：衬底；形成于衬底内的开关元件；和连接至开关元件的存储节点，所述存储节点包括：连接至所述开关元件并被用作离子源的下部电极；形成于下部电极上并且其部分与下部电极隔开的数据存储层；与下部电极隔开，并且其侧表面连接至与下部电极隔开的数据存储层部分的侧电极；以及形成于数据存储层上的上部电极，或者包括：连接至所述开关元件并被用作离子源的下部电极；形成于下部电极上的数据存储层；以及形成于数据存储层上的上部电极。通过降低电阻随外加电压变化，能够在读取和写入操作中提供足够余量。

主权项

1.一种非易失性存储器件，其包括衬底、形成于所述衬底内的开关元件和连接至所述开关元件的存储节点，其中，所述存储节点包括：下部电极，其连接至所述开关元件，并被用作离子源；形成于所述下部电极上的数据存储层，所述数据存储层的一部分与所述下部电极隔开；与所述下部电极隔开的侧电极，所述侧电极的侧面连接至与所述下部电极隔开的所述数据存储层的部分；以及形成于所述数据存储层上的上部电极。