| 发明名称 | 半导体器件和制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件(105)和制造这种器件的方法。本发明的优选实施例是半导体器件(105)，其包括硅半导体衬底(110)、氧化物层(115)和有源层(120)。在有源层中，已经形成了绝缘区(125)和有源区(127)。有源区(127)包括源极(180)、漏极(182)和主体(168)。源极(180)和漏极(182)还包括源极和漏极延伸(184、186)。有源层(120)设置有栅极(170)。L形侧壁隔离物位于栅极(170)的两侧上。源极(180)和漏极(182)还包括硅化物区(190、192)。这些区的特点是它们具有位于侧壁隔离物(136、138)下的延伸(194、196)。这些延伸(194、196)大大地减少了源极(194)和漏极(196)的串联电阻，这显著地改善了半导体器件(105)的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1922719A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200580005157.2 | 申请日期 | 2005.02.10 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 拉杜·C.·苏尔代亚努;赫尔本·多恩博斯;马库斯·J.·H.·范达尔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件(105、205)，包括具有表面(126、226)的含硅的半导体主体(110、210)，该半导体主体(110、210)在其表面(126、226)附近设置有晶体管，该晶体管包括：位于该表面(126、226)处的栅极(170、270)并且在该栅极的每一侧具有侧壁隔离物(136、138、236)，并且在该栅极(170、270)的每一侧上还包括形成在该半导体主体(110、210)中的扩散区(180、182、280)，至少一个扩散区(180、182、280)在该半导体主体(110、210)的表面(126、226)处设置有硅化物(190、192)，其特征在于该硅化物(190、192)沿着该半导体主体(110、210)的表面(126、226)延伸并且在该侧壁隔离物(136、138、236)下延续超过10nm。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||