发明名称 真空蒸镀装置、真空蒸镀方法及获得的有机电子荧光元件
摘要 本发明公开的真空蒸镀装置是在真空室(1)内放置着蒸发源(2)和被蒸镀体(3),同时用被加热到蒸发源物质气化温度的筒状体(4)包围着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)之间的空间,从蒸发源(2)气化的物质通过筒状体4内到达被蒸镀体(3)的表面,从而进行了蒸镀,在这样的真空蒸镀装置中,在筒状体中装有控制件(8),控制引导上述气化物质在筒状体(4)内向着被蒸镀体(3)移动。由此,能够控制气化物质在被蒸镀体上附着的分布,能够以均匀的膜厚在被蒸镀体上进行蒸镀,同时根据不同情况,能够按照操作者的意图以设定的膜厚分布进行蒸镀。
申请公布号 CN1302149C 申请公布日期 2007.02.28
申请号 CN02821221.5 申请日期 2002.10.28
申请人 松下电工株式会社;托竭株式会社 发明人 城户淳二;西森泰铺;岸泰生;近藤行广;中川照雄;柳雄二;松本荣一;牧修治
分类号 C23C14/24(2006.01);H05B33/10(2006.01);H05B33/14(2006.01) 主分类号 C23C14/24(2006.01)
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人 陈曦
主权项 1.一种真空蒸镀装置,其特征在于:该装置在真空室内放置着蒸发源和被蒸镀体,同时在蒸发源和被蒸镀体之间的空间中包围着被加热到蒸发源物质气化温度的筒状体,由蒸发源气化的物质通过筒状体内到达被蒸镀体的表面,其中在所述筒状体内的中途,而且在靠近被蒸镀体的位置上装有控制件,控制引导着所述气化物质在所述筒状体内向着被蒸镀体移动。
地址 日本大阪府门真市